同年，日亞化學發布了下一代高功率白光LED,350mA電流輸入時光通量為1451m,發光功率為1341m/W。完成白色LED高功率化的原因是完成了所用的藍色LED芯片的高功率化。該藍色LED在350mA驅動時的光功率為651mW,波長為444nm,外部量子功率為66. 5%，WPE為60.3%。,2009年末，CREE宣告其白光大功率LED光效已完成1861m/W，CREE的測驗成果表明，當相關色溫在4577K時，LED可產生1971m的光輸出。該測驗是在室溫條件下，驅動電流為350mA的規範測驗環境下進行的。,2009年初，CREE宣告完成了1611m /W的光效，色溫為4689K。該LED規範測驗條件是在室溫條件，驅動電流為350mA的情況下進行的。,同年，日亞投產發光功率達1501m/W的白色LED。該LED的功率代表當時業界的最高水平。順向電流為20mA的種類為1001m/W。,2012年，CREE公司宣告其白光LED光效突破231lm/W,該公司使用了一個單模塊組件，在色溫4500K、規範測驗室溫度350mA下，測得白光LED光效達2311m/W。,2011年，歐司朗研製工程師通過全面改進與LED製作相關的所有技能，在實驗室測驗中，新研製的白光LED刷新了該公司亮度和發光功率的紀錄。在工作電流為350mA的規範條件下，LED亮度最高可以到達1551m,而發光功率更是高達1361m/W。白光LED原型採用的是1m㎡芯片，所發射的光線色溫為5000K，色度坐標為0.349/0.393 （Cx/Cy）。,2009年初，依據日亞的實驗室成果，LED發光功率在20mA的情況下提高到每瓦2491m,不過在一般LED產業常用的350mA電流情況下，發光功率卻降低到1451m/W,引發業界重視。,2007年，美國的CREE公司在SiC襯底上生長雙異質結，製作的器材同樣很超卓，SiC襯底可以把LED的金屬電極製作在襯底的底部，電流能夠通過低阻導電襯底的筆直流動，也為開展其它光电子器材奠定了基礎。